：Rapidus 2HP：邏輯密度237.31 MTr/mm2，與臺(tái)積電N2的236.17 MTr/mm2相當(dāng)；2027財(cái)年下半年量產(chǎn)，初期6000片/月，一年內(nèi)提升至2.5萬片/月High-NA EUV：NA從0.33→0.55，可分辨8nm特征，量產(chǎn)窗口2027-2028年，Intel 14A為首個(gè)插入點(diǎn)；金屬氧化物光刻膠的LER與缺陷率是經(jīng)濟(jì)性閘門HBM4混合鍵合：SK海力士12層驗(yàn)證完成、正提升良率為量產(chǎn)準(zhǔn)備，16層堆疊HBM逐步商業(yè)化落地過程中混合鍵合有望從2026下半年至2027年規(guī)?；瘜?dǎo)入，但成本效益仍面臨挑戰(zhàn)，MR-MUF繼續(xù)并用；JEDEC放寬HBM高度至775μm，混合鍵合大規(guī)模普及推遲至HBM5世代三星SF2Z：2027年推出搭載背面供電技術(shù)的SF2Z版本；SF2良率已突破60%編號(hào)3805：2nm GAA納米片溝道取向與遷移率各向異性協(xié)同模型（模型）—— 材料+設(shè)計(jì)編號(hào)類型領(lǐng)域問題數(shù)學(xué)分析及數(shù)學(xué)物理分析及數(shù)學(xué)化學(xué)分析（含多數(shù)學(xué)工具推理）定律/理論逐步推理的數(shù)學(xué)表達(dá)式及參數(shù)設(shè)計(jì)